类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.2mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装）

R6030622PSYA 是一款高性能功率MOSFET，具备多项显著的技术特性。首先，它的导通电阻非常低，仅为6.2mΩ，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。该特性尤其适用于高电流应用，如电源管理和电动机控制。
　　其次，该MOSFET支持高达30A的连续漏极电流和60V的漏源电压，使其能够在高功率环境下稳定工作。其高电流承载能力结合低导通电阻，使其成为高效率电源转换器和负载开关的理想选择。
　　此外，R6030622PSYA 采用SOP封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化表面贴装工艺，便于在现代电子制造中使用。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在严苛环境条件下的可靠性，例如汽车电子系统、工业控制设备和高功率LED照明系统。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平（5V或10V驱动），使其可以与常见的微控制器或驱动IC配合使用，简化了电路设计。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提升了高频应用中的性能，例如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路。
　　ROHM的R6030622PSYA 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，确保在异常工况下仍能维持稳定运行，提高了系统的安全性和耐用性。

R6030622PSYA 广泛应用于多个高功率需求的领域。其主要用途包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、汽车电子系统（如车载充电器、启动系统和LED车灯驱动器）以及工业自动化设备。此外，该MOSFET也可用于高性能电源模块、电机控制和能量存储系统，满足现代电子设备对高效率和高可靠性的要求。

SiR624DP-T1-GE3, IPB036N06N3GATMA1, FDD6685, R6020ONZ40A