2N5551B FE 是一款NPN型高频晶体管,广泛用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路中。这款晶体管以其在高频应用中的良好性能而著称,适用于需要高增益和低噪声的应用场景。该器件采用TO-92封装,适合于通孔安装(Through-Hole)。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):150V
最大集电极电流(IC):150mA
最大功率耗散(PD):300mW
频率范围:100MHz(典型值)
增益(hFE):80-600(取决于工作电流)
封装类型:TO-92
安装类型:通孔
2N5551B FE 是一款适用于高频放大应用的晶体管,具有良好的高频响应特性。其工作频率可达100MHz以上,适用于射频和中频放大电路。
该晶体管的增益范围较宽,典型值为80到600,具体数值取决于偏置电流和工作条件。这使得2N5551B FE 在不同电路设计中具有较高的灵活性。
由于其较高的集电极-发射极击穿电压(150V),2N5551B FE 可以在较高电压环境下稳定工作,适合用于电源较高的射频放大器或驱动电路。
该器件的低噪声特性使其在前置放大器、信号增强器等对噪声敏感的应用中表现出色。此外,其TO-92封装形式小巧,便于安装和集成到各种电路板设计中。
2N5551B FE 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性,能够在多种环境条件下稳定运行。
2N5551B FE 常用于射频(RF)和中频(IF)放大器的设计,尤其是在无线通信、广播接收设备和测试仪器中。
它适合用作前置放大器或中间放大级,以增强微弱信号并提高系统整体的灵敏度。
此外,该晶体管也可用于音频放大电路、振荡器以及需要高频响应的开关应用。
由于其较高的电压耐受能力和良好的高频特性,2N5551B FE 也常用于工业控制电路和高频驱动电路中。
2N5551、2N3904、BC547、BF199、2SC2570