FDZ191P是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等低电压功率应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供较低的导通电阻和较高的效率,同时具备良好的热稳定性和可靠性。FDZ191P采用SOT-223封装,适用于表面贴装工艺,便于在紧凑型电子设备中使用。
类型:P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):-20V
最大栅源电压(VGS):±12V
最大连续漏极电流(ID):-4.1A
导通电阻(RDS(on)):@VGS=4.5V时为34mΩ;@VGS=2.5V时为50mΩ
功耗(PD):1.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-223
FDZ191P采用了先进的Trench MOSFET技术,具有非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为34mΩ,在VGS=2.5V时也仅为50mΩ,这使得它在低电压驱动条件下依然能够保持良好的性能。
该MOSFET的额定漏源电压为-20V,最大连续漏极电流为-4.1A,适用于多种低压功率控制场景。此外,其栅极驱动电压范围宽广,支持从2.5V到4.5V的驱动电压,从而提高了与不同控制器或逻辑电路的兼容性。
FDZ191P具有良好的热稳定性,其热阻(RθJA)为100°C/W,确保在高负载工作条件下仍能保持稳定的性能。器件的封装形式为SOT-223,体积小巧,适合高密度PCB布局,并支持表面贴装工艺,提高了生产效率和可靠性。
该器件还具备良好的短路和过热保护能力,在极端工作条件下仍能保持稳定运行。同时,其低栅极电荷(Qg)设计有助于减少开关损耗,提高整体系统的能效。
FDZ191P主要用于各类电源管理系统中,例如电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路等。在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等移动设备中,FDZ191P可作为高效的功率开关,用于控制电源路径或管理电池充放电过程。
在电源适配器和充电器中,该MOSFET可用于同步整流电路,以替代传统的肖特基二极管,从而提高转换效率并减少热量产生。此外,FDZ191P也可用于汽车电子系统中,如车载充电器、LED照明驱动器和电动工具等,提供高效、可靠的功率控制解决方案。
由于其低导通电阻和良好的热性能,FDZ191P也非常适合用于高效率的同步降压或升压转换器中,作为主功率开关使用。在这些应用中,该器件能够显著降低导通损耗,提高整体系统的能效,并减少散热设计的复杂度。
FDZ191P的替代型号包括FDZ192P、FDS6680、Si4435DY、IRML2803等。这些型号在参数和性能上与FDZ191P相近,适用于类似的功率控制应用,具体选用需根据电路设计要求进行匹配验证。