FDZ191P 时间：2025/7/22 19:46:10 阅读：11

FDZ191P是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等低电压功率应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的效率，同时具备良好的热稳定性和可靠性。FDZ191P采用SOT-223封装，适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=4.5V时为34mΩ；@VGS=2.5V时为50mΩ
　　功耗（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

FDZ191P采用了先进的Trench MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为34mΩ，在VGS=2.5V时也仅为50mΩ，这使得它在低电压驱动条件下依然能够保持良好的性能。
　　该MOSFET的额定漏源电压为-20V，最大连续漏极电流为-4.1A，适用于多种低压功率控制场景。此外，其栅极驱动电压范围宽广，支持从2.5V到4.5V的驱动电压，从而提高了与不同控制器或逻辑电路的兼容性。
　　FDZ191P具有良好的热稳定性，其热阻（RθJA）为100°C/W，确保在高负载工作条件下仍能保持稳定的性能。器件的封装形式为SOT-223，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　该器件还具备良好的短路和过热保护能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。同时，其低栅极电荷（Qg）设计有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。

应用

FDZ191P主要用于各类电源管理系统中，例如电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路等。在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等移动设备中，FDZ191P可作为高效的功率开关，用于控制电源路径或管理电池充放电过程。
　　在电源适配器和充电器中，该MOSFET可用于同步整流电路，以替代传统的肖特基二极管，从而提高转换效率并减少热量产生。此外，FDZ191P也可用于汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明驱动器和电动工具等，提供高效、可靠的功率控制解决方案。
　　由于其低导通电阻和良好的热性能，FDZ191P也非常适合用于高效率的同步降压或升压转换器中，作为主功率开关使用。在这些应用中，该器件能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效，并减少散热设计的复杂度。