IXGC12N60CD1是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于电源转换、电机控制、工业自动化等多种高电压和高电流需求的场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):600V
最大连续漏极电流(ID):12A
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω(典型值)
最大功率耗散(PD):83W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-247
栅极阈值电压(VGS(th)):4.5V
输入电容(Ciss):1300pF
反向恢复时间(trr):35ns
IXGC12N60CD1具有多个显著的技术特性,首先,其600V的高耐压能力使其能够适应多种高压应用场景,例如开关电源和工业电机驱动。其次,该MOSFET的最大连续漏极电流为12A,能够在较高的负载条件下稳定工作。其导通电阻为0.45Ω,相对较低,有助于减少导通损耗,提高能效。
此外,该器件采用了TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其栅极阈值电压为4.5V,与标准逻辑电平兼容,简化了驱动电路的设计。输入电容为1300pF,使得该器件在高频开关应用中具有良好的响应特性。
IXGC12N60CD1广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源领域,它常用于开关模式电源(SMPS)中的功率开关,提供高效率和高可靠性。在电机控制方面,该MOSFET可用于直流电机驱动器和无刷直流电机控制器,支持高转速和高扭矩的应用需求。
此外,该器件也适用于工业自动化设备中的功率控制模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和工业逆变器。在照明系统中,IXGC12N60CD1可以作为高强度放电灯(HID)和LED照明的功率调节器,提供稳定的电流控制。
由于其优异的开关性能和高耐压特性,IXGC12N60CD1还被用于不间断电源(UPS)和光伏逆变器等新能源相关设备中,以提升整体系统的能效和稳定性。
STP12N60DM2, FQA12N60C, IRFP460LC