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IXGC12N60CD1 发布时间 时间:2025/8/5 14:39:58 查看 阅读:27

IXGC12N60CD1是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于电源转换、电机控制、工业自动化等多种高电压和高电流需求的场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):600V
  最大连续漏极电流(ID):12A
  导通电阻(RDS(on)):0.45Ω(典型值)
  最大功率耗散(PD):83W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  栅极阈值电压(VGS(th)):4.5V
  输入电容(Ciss):1300pF
  反向恢复时间(trr):35ns

特性

IXGC12N60CD1具有多个显著的技术特性,首先,其600V的高耐压能力使其能够适应多种高压应用场景,例如开关电源和工业电机驱动。其次,该MOSFET的最大连续漏极电流为12A,能够在较高的负载条件下稳定工作。其导通电阻为0.45Ω,相对较低,有助于减少导通损耗,提高能效。
  此外,该器件采用了TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其栅极阈值电压为4.5V,与标准逻辑电平兼容,简化了驱动电路的设计。输入电容为1300pF,使得该器件在高频开关应用中具有良好的响应特性。

应用

IXGC12N60CD1广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源领域,它常用于开关模式电源(SMPS)中的功率开关,提供高效率和高可靠性。在电机控制方面,该MOSFET可用于直流电机驱动器和无刷直流电机控制器,支持高转速和高扭矩的应用需求。
  此外,该器件也适用于工业自动化设备中的功率控制模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和工业逆变器。在照明系统中,IXGC12N60CD1可以作为高强度放电灯(HID)和LED照明的功率调节器,提供稳定的电流控制。
  由于其优异的开关性能和高耐压特性,IXGC12N60CD1还被用于不间断电源(UPS)和光伏逆变器等新能源相关设备中,以提升整体系统的能效和稳定性。

替代型号

STP12N60DM2, FQA12N60C, IRFP460LC

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IXGC12N60CD1参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)15A
  • 功率 - 最大85W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS220?
  • 供应商设备封装ISOPLUS220?
  • 包装管件