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J202_D26Z 发布时间 时间:2023/11/30 17:21:05 查看 阅读:202

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):900μA @ 20V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:800mV @ 10nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
包装:带卷 (TR)
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
功率 - 最大:625mW

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J202_D26Z参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)900µA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id800mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)-
  • 安装类型通孔
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 功率 - 最大625mW