时间：2025/8/2 5:53:55
阅读：16
DMN3025LFV-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适合用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的功率控制。DMN3025LFV-13 采用 SOT-23 封装，具有体积小、散热性能好、安装方便等特点，适合在空间受限的电路中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-1.7A
导通电阻（RDS(on)）：150mΩ @ VGS = -4.5V；200mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT-23
DMN3025LFV-13 具有多个优异的电气和物理特性，使其适用于多种电源管理应用。首先，该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。在 VGS = -4.5V 时，RDS(on) 仅为 150mΩ，而在更低的栅极电压（如 -2.5V）下也能保持在 200mΩ 的水平，这使其适用于低电压驱动电路。
其次，该器件的最大漏源电压为 -20V，最大连续漏极电流为 -1.7A，能够满足大多数低压功率控制应用的需求。同时，该器件支持高达 ±12V 的栅极电压，确保了栅极驱动的稳定性和可靠性。
DMN3025LFV-13 主要用于低电压功率控制应用，包括但不限于电池供电设备、便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和传感器电路。由于其低导通电阻和高开关速度，该器件特别适用于需要高效能和低功耗设计的场合。例如，在电池管理系统中，DMN3025LFV-13 可用于实现高效的充放电控制；在电源管理电路中，可作为负载开关以实现对不同电路模块的独立供电控制；在 DC-DC 转换器中，可作为同步整流器以提高转换效率。
AO3401, Si3442DV, FDN302P, DMN2025LFG, DMN3025LFG
