类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.51V（在1A, 25°C下），最大值0.85V
　　反向漏电流（IR）：最大50μA（在60V, 25°C下），高温时可达500μA（125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　储存温度范围（TS）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（典型PCB布局）
　　反向恢复时间（trr）：非常短，典型小于10ns（肖特基特性）

MUR160-T的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术通过金属与N型半导体之间的势垒形成单向导电性，避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度和极低的正向压降。这一特性使得器件在高频开关电源中能够大幅降低导通损耗和开关损耗，提高整体能效。在1A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.51V，相比普通整流二极管（如1N4007的约0.7~1V）可减少近30%以上的功率损耗，尤其适用于电池供电设备或对能效要求严格的绿色能源系统。
　　该器件具备良好的热稳定性，可在-65°C至+125°C的宽结温范围内稳定运行，确保在高温环境下的长期可靠性。其SMA封装具有较小的体积和较高的功率密度，便于集成到紧凑型电源模块中。同时，SMA封装支持自动贴片工艺，适用于大规模自动化生产，提高了制造效率和产品一致性。MUR160-T还具有较低的寄生电感和电容，有助于抑制电磁干扰（EMI），改善系统的EMC性能。
　　另一个关键特性是其出色的浪涌电流承受能力，峰值正向浪涌电流可达30A（基于8.3ms半正弦波测试条件），这使其在面对瞬态过载或启动冲击电流时仍能保持可靠工作，增强了系统的鲁棒性。此外，该器件反向漏电流在常温下控制在50μA以内，尽管在高温下会上升至500μA，但在大多数应用场景中仍处于可接受范围。总体而言，MUR160-T凭借其低VF、快速响应、高可靠性及小型化封装，成为现代高效电源设计中的理想选择之一。

MUR160-T广泛应用于各类需要高效、快速整流的电源系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器和充电器中，其低正向压降可有效减少发热，提升转换效率。在DC-DC转换器拓扑结构中，如降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）电路中，MUR160-T常被用作续流二极管或箝位二极管，以防止电感反电动势损坏主开关器件（如MOSFET），同时回收能量，提高能效。
　　在便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其外围设备，MUR160-T因其小型SMA封装和高效率特性而备受青睐，有助于实现轻薄化设计并延长电池续航时间。此外，它也被广泛用于LED照明驱动电源中，作为整流或保护元件，保障LED模组的稳定运行。
　　工业控制领域中，MUR160-T可用于PLC电源模块、传感器供电单元以及电机驱动电路中的保护环节。在通信设备电源系统中，如路由器、交换机和基站电源模块，该器件有助于提升电源响应速度和稳定性。另外，在太阳能充电控制器、USB电源接口、电池管理系统（BMS）以及各类消费类电子产品的辅助电源轨中，MUR160-T均展现出良好的适用性。得益于其符合RoHS指令且不含铅的环保特性，也满足现代电子产品对绿色环保的要求。

MBR160-M3/H
　　SBM160ALT3G
　　VS160S-E3/52
　　1N5819W-Q
　　DM160S