FDZ1827NZ 时间：2025/12/29 14:39:41 阅读：10

FDZ1827NZ是一款由富士通（Fujitsu）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各类功率开关应用。FDZ1827NZ采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），适合高密度电路设计，并提供良好的电气性能和热管理能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：4A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约27mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：1.5W（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

特性

FDZ1827NZ具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用。其次，该器件的高开关速度使其在高频开关应用中表现出色，有助于减小外围元件的尺寸并提高响应速度。此外，FDZ1827NZ具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至12V的驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于实现自动化生产和高密度布局。FDZ1827NZ还具备良好的ESD（静电放电）耐受能力，增强了器件在实际应用中的可靠性。
　　在安全性和保护方面，FDZ1827NZ具备过热和过流保护功能，防止因异常工况导致的器件损坏。其结构设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于满足电磁兼容性（EMC）要求，适用于对噪声敏感的应用场合。

应用

FDZ1827NZ广泛应用于各类电子设备中的功率控制电路，如便携式电子产品中的电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池保护电路等。此外，该器件也常用于电机驱动、LED照明控制、智能电表、工业自动化设备以及汽车电子系统中的开关控制电路。
　　在电源管理系统中，FDZ1827NZ可作为主开关元件用于高效能电源转换器，提升整体能效；在电池供电设备中，它可实现低损耗的负载切换，延长电池使用寿命；在电机控制应用中，其快速开关特性可提高控制精度和响应速度。