时间：2025/5/23 6:34:28
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QCPL-A58JV-500E是一款基于碳化硅（SiC）材料设计的高效功率MOSFET芯片，广泛应用于高功率密度场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压性能，适用于工业电源、电动汽车充电设备、太阳能逆变器等对效率和可靠性要求极高的领域。
作为一款先进的功率半导体器件，QCPL-A58JV-500E采用了先进的沟槽栅结构设计，进一步优化了其动态特性和热性能，使其在高频开关应用中表现出色。
额定电压：1200V
额定电流：50A
导通电阻：3.5mΩ
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247-4L
输入电容：1200pF
输出电容：300pF
反向恢复时间：60ns
1. 使用碳化硅（SiC）技术制造，具备优异的耐高温和高效率性能。
2. 极低的导通电阻，有效降低功率损耗。
3. 快速的开关速度，支持高频操作，减少磁性元件体积。
4. 高可靠性的设计，确保长期稳定运行。
5. 支持高达175°C的工作温度范围，适应恶劣环境条件。
6. 封装形式采用行业标准的TO-247-4L，便于安装与散热设计。
7. 内置场截止结构，提高抗干扰能力。
1. 工业级开关电源（SMPS）
2. 电动汽车充电桩中的功率转换模块
3. 太阳能逆变器的核心功率开关
4. 不间断电源（UPS）系统中的高频逆变电路
5. 电机驱动控制器中的功率级开关
6. 高效DC-DC转换器中的主功率管
7. 各种需要高效率、高功率密度的应用场景
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FFSH50T12W
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