TFS713HG 时间：2025/8/7 1:46:42 阅读：30

TFS713HG 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效率的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适合应用于如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制以及工业自动化设备等场景。TFS713HG 采用高散热效率的表面贴装封装（如 SOP 或 TSSOP），能够在高频率开关条件下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 8.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP8 或 TSSOP

特性

TFS713HG 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。由于采用了先进的沟槽式结构设计，该器件能够在高频率开关条件下保持良好的性能，减少开关损耗。
　　此外，TFS713HG 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。其高栅极绝缘性能确保了在恶劣工作环境下的稳定运行，并增强了器件的抗静电能力。
　　该 MOSFET 还具备较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），这有助于提高其在高频开关应用中的响应速度和控制精度，同时降低驱动电路的设计复杂度。
　　最后，TFS713HG 的表面贴装封装设计便于自动化生产和高密度电路布局，适用于现代电子设备对小型化和轻量化的需求。

应用

TFS713HG 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。例如，在 DC-DC 转换器中，它可以用作主开关器件，提供高效率的电压转换能力；在电池管理系统中，TFS713HG 可用于充放电控制电路，以确保电池的安全运行。
　　此外，该器件也广泛应用于电机驱动、LED 驱动器、负载开关、电源适配器以及各种工业自动化控制系统中。在这些应用中，TFS713HG 的低导通电阻和高热稳定性能够显著提升系统的整体性能和能效。
　　由于其优异的高频开关性能，TFS713HG 也适用于无线充电系统、逆变器电路以及开关电源（SMPS）设计中，满足现代电子设备对高效率、小尺寸和轻重量的需求。