TFS713HG 是一款由 Toshiba(东芝)公司推出的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率密度和高效率的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力的特点,适合应用于如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制以及工业自动化设备等场景。TFS713HG 采用高散热效率的表面贴装封装(如 SOP 或 TSSOP),能够在高频率开关条件下稳定工作。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):4.4A
导通电阻(Rds(on)):最大 8.5mΩ(在 Vgs=10V)
功耗(Pd):2W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOP8 或 TSSOP
TFS713HG 的核心特性之一是其低导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。由于采用了先进的沟槽式结构设计,该器件能够在高频率开关条件下保持良好的性能,减少开关损耗。
此外,TFS713HG 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。其高栅极绝缘性能确保了在恶劣工作环境下的稳定运行,并增强了器件的抗静电能力。
该 MOSFET 还具备较低的输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss),这有助于提高其在高频开关应用中的响应速度和控制精度,同时降低驱动电路的设计复杂度。
最后,TFS713HG 的表面贴装封装设计便于自动化生产和高密度电路布局,适用于现代电子设备对小型化和轻量化的需求。
TFS713HG 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。例如,在 DC-DC 转换器中,它可以用作主开关器件,提供高效率的电压转换能力;在电池管理系统中,TFS713HG 可用于充放电控制电路,以确保电池的安全运行。
此外,该器件也广泛应用于电机驱动、LED 驱动器、负载开关、电源适配器以及各种工业自动化控制系统中。在这些应用中,TFS713HG 的低导通电阻和高热稳定性能够显著提升系统的整体性能和能效。
由于其优异的高频开关性能,TFS713HG 也适用于无线充电系统、逆变器电路以及开关电源(SMPS)设计中,满足现代电子设备对高效率、小尺寸和轻重量的需求。
Si2302DS, AO3400, FDS6675, BSS138K