时间：2025/7/7 15:45:25
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FDT86102LZ是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用DFN5x6-8封装形式。该器件专为低导通电阻和高效率开关应用而设计，适用于各种便携式设备、消费类电子产品及工业控制领域。其卓越的性能使其成为驱动负载的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：25mΩ
栅极电荷：4.5nC
总电容：170pF
工作结温范围：-55℃至150℃
FDT86102LZ具有超低导通电阻的特点，能够显著降低功率损耗，提升系统效率。此外，该器件还具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
它采用了紧凑型DFN5x6-8封装，适合空间受限的应用场景，并且散热性能优异，可以承受较高的结温范围。
FDT86102LZ还具备良好的电气稳定性和可靠性，适用于高频开关电路。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。同时，它也常用于工业控制中的信号切换和功率调节等场景。
FDS86102Z, IRF7843, AO3400
