时间：2025/12/25 13:15:38
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RRE02VSM4STR是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），专为高效率、低功耗应用设计。该器件采用小型化SOD-123F封装，具有较小的占位面积和较低的热阻，适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备和高密度PCB布局场景。RRE02VSM4STR的主要特点是其低正向电压降（VF）和快速开关特性，这使其在电源整流、反向电流保护、DC-DC转换器以及信号解调等应用中表现出色。该二极管的额定最大重复峰值反向电压（VRRM）为20V，正向平均整流电流（IF(AV)）可达2A，在轻负载条件下能够显著降低系统功耗并提升整体能效。此外，RRE02VSM4STR符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）和AEC-Q101可靠性认证，适合用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品中。得益于其优异的热稳定性和长期可靠性，这款器件在高温环境下仍可保持稳定的电气性能，是现代高效电源管理系统中的理想选择之一。
型号：RRE02VSM4STR
制造商：ROHM Semiconductor
封装/外壳：SOD-123F
类型：肖特基势垒二极管
最大重复峰值反向电压 VRRM：20V
最大直流阻断电压 VR：20V
最大正向平均整流电流 IF(AV)：2A
最大正向不重复峰值电流 IFSM：50A
最大正向电压降 VF @ IF=2A：850mV（典型值）
最大反向电流 IR @ VR=20V, Ta=25°C：100μA
结温 TJ：150°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
热阻 Junction-to-Ambient RθJA：175°C/W
安装类型：表面贴装（SMD）
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
RRE02VSM4STR的核心优势在于其低正向电压降与高速开关能力的结合，这是由肖特基势垒结构所决定的。传统PN结二极管依赖载流子注入和复合机制进行导通，存在较大的正向压降（通常在0.6~0.7V以上）和较慢的反向恢复时间，而RRE02VSM4STR采用金属-半导体接触形成肖特基势垒，主要依靠多数载流子导电，几乎不存在少数载流子储存效应，因此反向恢复时间极短（通常小于10ns），极大减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的效率。
在实际应用中，这种特性使得RRE02VSM4STR非常适合用于开关电源（SMPS）、同步整流替代电路、低压差线性稳压器输出端的防倒灌保护、电池充电管理回路以及各类DC-DC升压或降压拓扑中作为续流二极管使用。其850mV的正向压降在2A电流下仅为传统硅二极管的约1.2倍，但由于没有反向恢复电荷（Qrr接近零），总体功耗反而更低，特别是在高频切换状态下表现尤为突出。
该器件还具备良好的热稳定性，SOD-123F封装虽然体积小巧（典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），但通过优化内部引线框架设计和材料选择，实现了较低的热阻（RθJA ≈ 175°C/W），有助于将结温有效传导至PCB，延长使用寿命。同时，其高达50A的非重复浪涌电流承受能力确保了在瞬态过载或启动冲击下的安全性。此外，产品经过严格的质量管控，符合AEC-Q101车规级认证，意味着它能在剧烈温度变化、振动和湿度环境中保持可靠运行，广泛适用于车载信息娱乐系统、LED驱动电源、USB PD快充模块等严苛应用场景。
RRE02VSM4STR广泛应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电子系统中。典型用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，其中作为DC-DC转换器的续流二极管或防止电池反接的保护元件；在笔记本电脑和平板电源适配器中用于次级侧整流，提高转换效率并减少发热；在工业控制系统中用于信号隔离与钳位保护电路；在汽车电子领域，常被集成于车身控制模块（BCM）、车载充电器（OBC）、LED照明驱动和HVAC控制系统中，承担电压箝位、反极性保护和瞬态抑制功能。
由于其具备AEC-Q101认证，RRE02VSM4STR特别适合部署在发动机舱外的车载电子装置中，能够在-40°C至+150°C的工作结温范围内稳定运行，适应频繁启停带来的热循环应力。此外，在通信设备、网络路由器和IoT节点中，该器件可用于低电压轨的整流与防倒灌设计，保障系统供电安全。其小型SOD-123F封装也便于实现自动化贴片生产，提高组装效率并节省PCB空间，满足现代电子产品微型化的发展趋势。
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"RB02VSM4S-40",
"RBR2VWM4S-20",
"SS24",
"SB220",
"MBR220"
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