时间：2025/4/29 13:02:09
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FDT4N50NZU是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高频开关应用中的优异性能。
型号：FDT4N50NZU
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
Vds（漏源极耐压）：500V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：0.35Ω
Id（连续漏极电流）：4.9A
Bvdss（漏源击穿电压）：500V
Vgs(th)（阈值电压）：3V
fT（截止频率）：1.6MHz
功耗：100W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FDT4N50NZU具有高耐压能力，能够承受高达500V的漏源极电压，适用于高压环境下的各种电路设计。
其导通电阻仅为0.35Ω，在大电流应用中可以显著降低功耗。
该器件的快速开关特性和低栅极电荷使得它非常适合高频开关应用，从而提高系统效率。
FDT4N50NZU采用TO-220标准封装，便于安装和散热管理。
此外，该器件具有较低的反向传输电容，进一步减少了开关损耗。
FDT4N50NZU主要应用于开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动以及各种工业控制设备中。
由于其高耐压和低导通电阻的特点，这款MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
同时，它也适用于太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备，以实现高效的能量转换和传输。
FDP057AN
IRF540N
STP55NF06L
