时间：2025/8/28 14:05:43
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R4000F-BP 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。这款MOSFET专为高效率功率转换和开关应用而设计，适用于电源管理、电机控制、电池充电器、逆变器以及各类工业自动化设备。R4000F-BP 采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。该器件封装为TO-220F，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在中高功率应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：17A
导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220F
R4000F-BP MOSFET采用了先进的Trench技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的漏源电压为400V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高压开关应用。此外，R4000F-BP具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
其栅源电压范围为±30V，具备较强的抗过压能力，防止栅极击穿，从而提高器件的长期可靠性。连续漏极电流为17A，适用于中高功率的电源转换系统。该MOSFET的封装为TO-220F，具有良好的散热性能，适合安装在散热器上以提高散热效率。
R4000F-BP还具备较低的输入电容和输出电容，有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器等应用场景。同时，该器件的短路耐受能力较强，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。
R4000F-BP广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电池管理系统（BMS）、马达控制电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制模块。该MOSFET适用于需要高效、高可靠性和高耐压性能的电路设计。
R4000F-BP的替代型号包括：IRF740、FQA16N40C、2SK2647、STP17N40Z、FDPF16N40。
