时间：2025/8/24 12:22:10
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FDS9466SN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双N沟道增强型功率MOSFET器件，封装为8引脚SOIC（表面贴装），适用于负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，同时具备较高的能效和热稳定性。
类型：双N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4.5A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：45mΩ（最大）
导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：60mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：8-SOIC
功率耗散（PD）：2.5W
输入电容（Ciss）：320pF（典型值）
FDS9466SN 的核心优势在于其低导通电阻和高速开关能力，能够在低电压应用中显著降低功率损耗。由于其双N沟道MOSFET结构设计，该器件非常适合用于同步整流、电源管理以及负载开关等场景。其采用的Trench工艺技术使得器件在保持小尺寸的同时具备良好的热管理性能，从而提高整体系统的可靠性和效率。
此外，FDS9466SN 具备较强的栅极驱动能力，支持在较低的栅极电压（如2.5V或4.5V）下稳定工作，适应了多种现代控制器或微处理器的输出需求。这种特性尤其适用于电池供电设备、便携式电子产品以及嵌入式系统中对功耗敏感的设计。
FDS9466SN 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关控制、同步整流电路、电机驱动器、电池供电设备以及嵌入式控制系统等领域。其低导通电阻和高能效特性使其成为高效能电源管理设计中的理想选择。此外，该器件也常用于消费电子、工业自动化以及汽车电子中的功率控制模块。
Si4466DY-T1-GE3, FDS9435A, TPS27081A, NDS9410
