BSP298 是一款由英飞凌(Infineon Technologies)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛用于需要高效率和紧凑设计的电源管理系统中,例如汽车电子、工业控制和消费类电子产品。BSP298 具有低导通电阻(RDS(on))、高电流容量和快速开关性能,能够满足高要求的应用环境。该器件采用 PG-TDSON-8 封装形式,便于散热并适合表面贴装。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS): 30V
最大栅源电压(VGS): ±20V
最大连续漏极电流(ID): 10A
导通电阻(RDS(on)): 17mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on)): 24mΩ @ VGS=4.5V
最大功耗(Ptot): 41W
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: PG-TDSON-8
BSP298 具备多项显著特性,使其在功率电子应用中表现出色。
首先,它的低导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下较低的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。在 VGS 为 10V 时,其 RDS(on) 仅为 17mΩ,而在 4.5V 时为 24mΩ,这使得它可以在多种栅极驱动条件下稳定运行。
其次,BSP298 支持高达 10A 的连续漏极电流,能够满足高功率负载的需求。同时,其快速开关特性减少了开关损耗,有助于提高开关频率和减小外围电路尺寸。
此外,该器件的 PG-TDSON-8 封装具有良好的热性能,能够有效地将热量传导到 PCB 上,从而提升器件的可靠性和长期稳定性。这种封装形式也支持自动化生产和表面贴装技术,提高了生产效率。
最后,BSP298 在汽车电子领域的应用得到了广泛认可,符合 AEC-Q100 标准,具备较高的可靠性和稳定性,适用于如车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)以及 LED 照明驱动等应用。
BSP298 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 汽车电子:如车身控制模块、电动助力转向系统、车灯驱动、电池管理系统等。
2. 工业控制:用于直流电机驱动、电源管理模块、继电器替代和负载开关控制。
3. 消费类电子产品:例如笔记本电脑、电源适配器、LED 照明和智能家电。
4. 通信设备:用于功率放大器、DC-DC 转换器和电源开关电路。
5. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关。
这些应用得益于 BSP298 的高效、低损耗、高稳定性和紧凑封装的特点,能够实现更高效、更可靠的电子系统设计。
BSP298N, BSC016N04LS, BSC028N04LS, IPB016N04N3