时间：2025/7/22 19:25:12
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IXFH150N20T 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的平面技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流容量，适用于需要高效、高功率密度的电源系统。该 MOSFET 封装形式为 TO-247，便于散热和安装。IXFH150N20T 主要用于高功率 DC-DC 转换器、电机驱动、太阳能逆变器和 UPS 系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）@25°C：150A
导通电阻（RDS(on)）：最大 6.8mΩ @ VGS=10V
功耗（PD）：350W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-247
IXFH150N20T 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其 TO-247 封装具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 采用先进的平面工艺技术，提供优异的热稳定性和可靠性。此外，其高栅极电荷（Qg）特性意味着在高频开关应用中需要更大的驱动功率，因此适用于中低频高功率应用场景，如工业电源、逆变器和马达控制。该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力工作环境下的稳定性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，推荐在 10V 栅极驱动电压下使用以获得最佳导通性能。在 25°C 环境温度下，最大漏极电流可达 150A，但在高温环境下需考虑降额使用。由于其高功率耗散能力（350W），该器件可以在高负载条件下稳定运行，适用于需要长时间连续工作的工业和能源系统。
IXFH150N20T 广泛应用于高功率电源系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、马达驱动器、电池充电系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流容量和低导通电阻特性使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
IXFH150N20P, IXFH160N20T, IXFN150N20T
