类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：110mA（@VGS=10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：450mA
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

CXG1178AK-T2采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备出色的导通性能和快速开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下损耗极低，从而提高整体系统的能效。该器件的栅极氧化层设计优化，使其能够承受高达20V的栅源电压，增强了在复杂电磁环境下的稳定性和可靠性。
　　此外，CXG1178AK-T2的SOT-23封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，还具备良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。该器件的阈值电压范围适中（1.1V ~ 2.5V），兼容多种驱动电路，包括常见的3.3V和5V逻辑电平驱动器。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，能够在连续工作条件下保持稳定的电气性能，适用于需要长期运行的工业和消费类电子设备。此外，CXG1178AK-T2在制造过程中采用了无卤素材料，符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

CXG1178AK-T2主要应用于低功率开关电路、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路、电机控制电路以及各种便携式电子设备中。其低导通电阻和小封装特性使其特别适合用于对空间和能效要求较高的手持设备和嵌入式系统。此外，该器件也可用于电源管理模块中的高边或低边开关，实现对负载的精确控制和保护。

2N7002, BSS138, FDN340P, CXG1178AK-T1