您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GRT0335C1H111JA02D

GRT0335C1H111JA02D 发布时间 时间:2025/3/18 16:01:31 查看 阅读:25

GRT0335C1H111JA02D 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效提高散热效率并适应大电流工作环境。
  这款芯片适合需要高效能与高可靠性的场景,例如消费类电子设备、工业控制以及汽车电子等领域。由于其出色的电气特性,GRT0335C1H111JA02D 成为了许多设计工程师在功率管理方案中的首选。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):48A (典型值)
  导通电阻(Rds(on)):1.1mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):79nC
  输入电容(Ciss):2480pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on),可以显著降低功耗和发热。
  2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体效率。
  3. 高额定电流 Id 和耐压能力 Vds,确保在复杂电路中稳定运行。
  4. 优秀的热性能,支持更高的功率密度和更长的使用寿命。
  5. 具备强固的静电防护能力,提高了系统可靠性。
  6. 小型化封装设计,节省了 PCB 空间,同时保持良好的散热性能。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
  2. 电机驱动器中的功率级控制单元。
  3. 汽车电子系统的负载切换和保护功能。
  4. 工业自动化设备中的继电器替代品。
  5. 大功率 LED 驱动电路的核心组件。
  6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径管理。

替代型号

IRF3205, AO3400A, FDP16N06L, IXTM140N06T2

GRT0335C1H111JA02D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GRT0335C1H111JA02D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格27,778 : ¥0.02746卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容-
  • 容差-
  • 电压 - 额定-
  • 温度系数-
  • 工作温度-
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用-
  • 故障率-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-