型号：RCD075N20
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：75A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：7.5mΩ 最大值
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：9.5mΩ 最大值
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 5.0V
　　输入电容（Ciss）：6800pF 典型值
　　输出电容（Coss）：1100pF 典型值
　　反向恢复时间（trr）：35ns 典型值
　　二极管正向电压（VSD）：1.5V 最大值
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP, D2PAK, TO-247 等可选

RCD075N20采用先进的超结（Super Junction）架构设计，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的折衷矛盾，从而实现了极低的RDS(on)值和高效的功率转换能力。其典型导通电阻在VGS=10V时仅为7.5mΩ，这使得器件在大电流工作状态下能够有效降低传导损耗，提升系统整体效率。该MOSFET具备出色的动态性能，输入电容Ciss约为6800pF，输出电容Coss约1100pF，确保了快速的开关响应速度，适用于高频PWM控制场景，如LLC谐振变换器和有源钳位反激式电源。此外，器件的反向恢复时间trr仅为35ns，配合体二极管的快速恢复特性，可大幅减少开关过程中的能量损耗，避免因反向恢复引起的电压尖峰问题，提高系统的EMI兼容性。
　　RCD075N20还具备优异的热稳定性与可靠性。其最大连续漏极电流可达75A（在25°C下），并支持高达300A的脉冲电流，适合应对瞬态负载变化。器件的栅源电压容限为±30V，增强了对过压冲击的耐受能力，防止因驱动异常导致的损坏。工作结温范围从-55°C到+150°C，使其可在极端温度环境中可靠运行。内置的体二极管具有较低的正向压降（VSD≤1.5V），有助于改善续流效率，并降低发热。TO-220、D2PAK及TO-247等多种封装选项提供了灵活的PCB布局选择，同时便于连接散热片以实现高效散热。综合来看，RCD075N20是一款面向高密度、高效率电源设计的理想功率开关器件。

RCD075N20广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适用于对能效和空间布局要求较高的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源模块和嵌入式电源单元，其低导通电阻和高频开关能力有助于实现更高的功率密度和更低的能耗。在DC-DC转换器中，特别是非隔离式降压（Buck）拓扑和同步整流结构中，RCD075N20可作为主开关或同步整流管使用，显著降低导通损耗，提升转换效率。该器件也常用于电机驱动系统，如无刷直流电机（BLDC）控制器和伺服驱动器，在高频率PWM调制下表现出色，有助于减小滤波元件体积并改善动态响应。
　　在新能源领域，RCD075N20被用于光伏逆变器的直流侧开关电路，承担能量传输与保护功能，其高耐压与低损耗特性有助于延长系统寿命并提高发电效率。此外，它还可用于LED照明驱动电源、高频电子镇流器以及UPS不间断电源系统中，提供稳定的功率切换能力。由于其具备较强的抗雪崩能力与热稳定性，RCD075N20也能胜任一些恶劣环境下的应用，如工业自动化设备、电动汽车充电模块和智能电网终端装置。无论是连续满载运行还是间歇性高负荷工况，该器件均能保持优异的电气性能和长期可靠性。

SPW20N20C3, STP75NF20, IRFP260N, FQP20N20, APT75GN20