型号：M25P20-VMN3PB
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：16 Mbit (2 Mbyte)
　　组织结构：2,097,152 x 8 bits
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　时钟频率：最高支持75 MHz
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-Pin SO (Small Outline)
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　写使能机制：软件/硬件写保护支持
　　擦除时间：批量擦除约100 ms，扇区擦除约3 s
　　编程时间：页编程典型值0.7 ms
　　封装宽度：200 mil (5.1 mm)
　　环保标准：符合RoHS指令，无铅(Pb-free)

M25P20-VMN3PB具备多项关键特性，使其在众多串行闪存产品中脱颖而出。首先，它采用标准SPI接口，支持Mode 0和Mode 3两种时序模式，兼容广泛的微控制器和主控设备，简化了系统设计与集成过程。其次，其存储阵列被划分为32个扇区（每扇区64 Kbyte）和更细粒度的子扇区（每子扇区4 Kbyte），允许用户灵活地进行局部擦除和编程操作，避免全片擦除带来的效率损失，特别适合频繁更新小块数据的应用场景。
　　该芯片支持多种读取模式，包括标准单输出读取和快速读取模式，在高速时钟下可实现高达75 MHz的数据传输速率，满足对实时性要求较高的应用需求。同时，内置的状态寄存器提供了详细的器件状态信息，如写使能锁存、忙标志、块保护设置等，便于主机准确判断当前操作状态并做出相应控制。
　　为了提高数据安全性和系统稳定性，M25P20-VMN3PB集成了丰富的保护机制。例如，可通过软件命令或硬件#WP引脚实现写保护；部分或全部存储区域可以被永久锁定，防止非法访问或意外修改。此外，芯片支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至几微安级别，显著降低待机功耗，非常适合用于移动设备或远程传感器节点。
　　从可靠性的角度看，该器件保证每个地址可进行至少10万次的编程/擦除循环，并且数据保存时间可达20年以上，确保长期稳定运行。制造上采用成熟的浮栅技术，经过严格测试，可在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，适应恶劣环境条件。整体而言，这些特性使得M25P20-VMN3PB成为一款高性能、高性价比的串行闪存解决方案。

M25P20-VMN3PB因其高可靠性、低功耗和紧凑封装，广泛应用于多个电子领域。在嵌入式系统中，常用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像或应用程序固件，尤其是在MCU无法集成大容量存储的情况下，作为外部程序存储器使用。消费类电子产品如数码相机、MP3播放器、智能玩具等也普遍采用该芯片来保存配置参数、用户设置或小型媒体文件。
　　在工业自动化领域，M25P20-VMN3PB可用于PLC控制器、HMI人机界面设备或远程I/O模块中，用于记录运行日志、保存校准数据或存储设备标识信息。由于其具备良好的温度适应能力，也能胜任工业现场复杂环境下的长期运行任务。
　　网络通信设备如路由器、交换机、IP摄像头等利用该芯片存储固件备份、网络配置信息或加密密钥，保障系统在断电后仍能恢复原始设置。此外，在汽车电子系统中，虽然高端车型更多采用更高耐温等级的产品，但M25P20仍可用于车载信息终端、仪表盘显示模块或车身控制单元中，用于存储非关键性数据或初始化参数。
　　医疗设备方面，一些便携式仪器如血糖仪、体温计或健康监测装置也会选用此类串行闪存，以实现低成本、小体积的数据记录功能。同时，得益于其SPI接口简单、占用PCB面积小的优势，非常适合作为FPGA或ASIC的辅助配置存储器，用于加载初始配置比特流。综上所述，M25P20-VMN3PB凭借其成熟的技术平台和稳定的供货能力，已成为各类中低端嵌入式系统中不可或缺的非易失性存储组件之一。

M25P20VN-MF
　　EN25P20
　　W25Q20BV
　　SST25VF020