FDS8878-NL是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双N沟道功率MOSFET器件,采用先进的封装技术和高性能硅工艺制造。该器件专为高效率、高功率密度的电源管理系统设计,适用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等应用领域。FDS8878-NL具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优良的热性能,能够在高频率和高负载条件下稳定运行。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A(单通道)
导通电阻(Rds(on)):10.5mΩ @ Vgs = 10V
导通电阻(Rds(on)):14mΩ @ Vgs = 4.5V
功率耗散(Pd):4.3W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SO-8(双列直插式塑料封装)
FDS8878-NL具有多项优异的电气和热性能,能够满足高性能电源设计的需求。其主要特点包括:
1. **低导通电阻**:FDS8878-NL的Rds(on)低至10.5mΩ(在Vgs=10V时),有助于降低导通损耗,提高系统效率,适用于高电流应用。
2. **高电流能力**:每个通道可提供高达15A的连续漏极电流,适合用于高功率密度的电源转换系统,如DC-DC转换器和同步整流电路。
3. **双通道集成设计**:在一个封装中集成两个N沟道MOSFET,减少了PCB空间占用,提高了系统的集成度和可靠性。
4. **优异的热管理性能**:采用先进的封装技术,具有良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,提高器件的稳定性和寿命。
5. **宽栅极电压范围**:支持±20V的栅源电压,兼容多种驱动电路设计,提高了使用灵活性。
6. **高可靠性**:符合工业级工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于各种严苛环境下的电源管理应用。
7. **绿色环保**:无铅封装,符合RoHS标准,满足现代电子产品对环保的要求。
FDS8878-NL凭借其高性能和紧凑设计,广泛应用于多个领域,包括:
? 同步整流器(如电源适配器、充电器、开关电源)
? 负载开关(用于电池供电设备中的电源管理)
? DC-DC转换器(如降压、升压、Buck-Boost变换器)
? 电机驱动电路
? 高效电源管理系统
? 便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑、智能手机)
? 工业控制系统和电源模块
Si4410BDY-T1-E3, FDS8873A, FDS8879, FDMS8878, IRF7413PbF