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FDS8878-NL. 发布时间 时间:2025/8/24 15:07:29 查看 阅读:13

FDS8878-NL是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双N沟道功率MOSFET器件,采用先进的封装技术和高性能硅工艺制造。该器件专为高效率、高功率密度的电源管理系统设计,适用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备等应用领域。FDS8878-NL具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优良的热性能,能够在高频率和高负载条件下稳定运行。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):15A(单通道)
  导通电阻(Rds(on)):10.5mΩ @ Vgs = 10V
  导通电阻(Rds(on)):14mΩ @ Vgs = 4.5V
  功率耗散(Pd):4.3W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SO-8(双列直插式塑料封装)

特性

FDS8878-NL具有多项优异的电气和热性能,能够满足高性能电源设计的需求。其主要特点包括:
  1. **低导通电阻**:FDS8878-NL的Rds(on)低至10.5mΩ(在Vgs=10V时),有助于降低导通损耗,提高系统效率,适用于高电流应用。
  2. **高电流能力**:每个通道可提供高达15A的连续漏极电流,适合用于高功率密度的电源转换系统,如DC-DC转换器和同步整流电路。
  3. **双通道集成设计**:在一个封装中集成两个N沟道MOSFET,减少了PCB空间占用,提高了系统的集成度和可靠性。
  4. **优异的热管理性能**:采用先进的封装技术,具有良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,提高器件的稳定性和寿命。
  5. **宽栅极电压范围**:支持±20V的栅源电压,兼容多种驱动电路设计,提高了使用灵活性。
  6. **高可靠性**:符合工业级工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于各种严苛环境下的电源管理应用。
  7. **绿色环保**:无铅封装,符合RoHS标准,满足现代电子产品对环保的要求。

应用

FDS8878-NL凭借其高性能和紧凑设计,广泛应用于多个领域,包括:
  ? 同步整流器(如电源适配器、充电器、开关电源)
  ? 负载开关(用于电池供电设备中的电源管理)
  ? DC-DC转换器(如降压、升压、Buck-Boost变换器)
  ? 电机驱动电路
  ? 高效电源管理系统
  ? 便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑、智能手机)
  ? 工业控制系统和电源模块

替代型号

Si4410BDY-T1-E3, FDS8873A, FDS8879, FDMS8878, IRF7413PbF

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