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FDS86242 发布时间 时间:2025/5/22 0:09:06 查看 阅读:5

FDS86242 是一款 N 沣道通公司生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率转换的应用场景。
  这款 MOSFET 的封装形式为 SOP-8,能够满足紧凑型设计的需求,同时具备出色的电气特性和可靠性。

参数

型号:FDS86242
  类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 (Vds):60 V
  最大栅源电压 (Vgs):±20 V
  最大漏极电流 (Id):15 A
  导通电阻 (Rds(on)):3.5 mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗 (Ptot):37 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装:SOP-8

特性

FDS86242 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然可以保持稳定性能。
  4. 小型 SOP-8 封装,节省 PCB 空间,非常适合对尺寸要求严格的场合。
  5. 宽泛的工作温度范围,使其能够在恶劣条件下可靠运行。
  6. 内置反向二极管,支持同步整流功能,进一步提升电路效率。

应用

FDS86242 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机驱动器中的功率级开关元件。
  3. DC-DC 转换器中的高频开关。
  4. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的负载开关。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 各种工业自动化控制设备中的功率转换模块。

替代型号

FDS6690
  FDP5500
  IRF7732

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FDS86242参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C67 毫欧 @ 4.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 75V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS86242TR