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RSD200N10TL 发布时间 时间:2025/6/5 12:27:33 查看 阅读:23

RSD200N10TL 是一款基于先进的 MOS 技术的 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于高效率开关电源、电机驱动器、逆变器等电力电子领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,可显著提高系统的整体效率。
  RSD200N10TL 采用 TO-247 封装形式,便于散热设计,同时具备较高的耐用性和可靠性。其卓越的电气性能使其成为工业应用中的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:200A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):160nC
  输入电容(Ciss):4980pF
  反向传输电容(Crss):860pF
  总开关能量损耗(Eon+Eoff):1.2mJ
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

RSD200N10TL 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,降低开关损耗,适用于高频应用场景。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受性。
  4. 支持大电流连续运行,适用于高功率密度设计。
  5. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境需求。
  6. 稳定的动态性能和静电防护能力,确保长期可靠运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

RSD200N10TL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 大功率电机驱动与控制电路。
  3. 不间断电源(UPS)系统。
  4. 新能源相关设备,如太阳能逆变器。
  5. 电动汽车牵引逆变器模块。
  6. 工业自动化设备中的功率转换部分。
  这些应用均得益于其高效、稳定及高功率处理能力的特点。

替代型号

RFP20N10, IRF260N, STP200N10F5

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RSD200N10TL参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大20W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装CPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RSD200N10TLTR