时间：2025/6/5 12:27:33
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RSD200N10TL 是一款基于先进的 MOS 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于高效率开关电源、电机驱动器、逆变器等电力电子领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，可显著提高系统的整体效率。
RSD200N10TL 采用 TO-247 封装形式，便于散热设计，同时具备较高的耐用性和可靠性。其卓越的电气性能使其成为工业应用中的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（Qg）：160nC
输入电容（Ciss）：4980pF
反向传输电容（Crss）：860pF
总开关能量损耗（Eon+Eoff）：1.2mJ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
RSD200N10TL 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，降低开关损耗，适用于高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐受性。
4. 支持大电流连续运行，适用于高功率密度设计。
5. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境需求。
6. 稳定的动态性能和静电防护能力，确保长期可靠运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
RSD200N10TL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 大功率电机驱动与控制电路。
3. 不间断电源（UPS）系统。
4. 新能源相关设备，如太阳能逆变器。
5. 电动汽车牵引逆变器模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换部分。
这些应用均得益于其高效、稳定及高功率处理能力的特点。
RFP20N10, IRF260N, STP200N10F5
