类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds): 30V
　　栅极-源极电压(Vgs): ±20V
　　漏极电流(Id): 2.5A
　　导通电阻(Rds(on)): 0.13Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd): 20W
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装类型: TO-252（DPAK）
　　晶体管配置: 单晶体管

2SK2516-01S MOSFET具有多项出色的电气和热性能，使其在高频开关和功率控制应用中表现出色。其导通电阻较低（Rds(on)为0.13Ω），在10V栅极驱动条件下，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOS结构，提高了电流密度并降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET的漏极-源极电压为30V，最大漏极电流为2.5A，使其适用于中等功率的DC-DC转换器和负载开关电路。同时，其最大栅极-源极电压为±20V，具有较强的栅极保护能力，确保在各种工作条件下稳定运行。
　　在热性能方面，2SK2516-01S采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。该封装形式适用于表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB设计中使用，同时确保良好的热管理和机械稳定性。
　　此外，该MOSFET具有较宽的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于工业级和汽车电子应用，能够在严苛环境下保持稳定运行。

2SK2516-01S MOSFET广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高频开关和高效功率管理的场合。其主要应用包括：DC-DC转换器、同步整流电路、电源管理模块、负载开关、电机驱动电路、高频功率放大器以及电池管理系统（BMS）。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效的能量转换能力。在同步整流电路中，2SK2516-01S能够替代传统二极管，降低导通压降，提高整流效率。此外，其高频性能使其适用于无线充电系统、LED驱动器以及开关电源（SMPS）中的功率开关应用。
　　由于其良好的热稳定性和封装形式，2SK2516-01S也适用于汽车电子系统，如车载电源管理、LED照明驱动以及车载充电器等。其在负载开关和保护电路中的应用可以有效控制电源分配，防止过载和短路故障。

2SK3018, 2SK2608, IRFZ44N, FDPF6N20, Si2302DS