时间：2025/7/10 20:07:56
阅读：36
FDS7066ASN3 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装形式，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域，用于开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
FDS7066ASN3 的设计优化了导通电阻与栅极电荷性能，从而提高了效率并降低了功耗。其低 Qg 和 Rds(on) 特性使其非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：38mΩ
栅极阈值电压：1V~2.5V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：SO-8
FDS7066ASN3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，典型值为 38mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 低栅极电荷 (Qg)，使得该器件在高频应用中表现出色。
3. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 提供出色的热稳定性和电气性能。
6. 小巧的 SO-8 封装适合紧凑型设计需求。
FDS7066ASN3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 各种负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的电机驱动和功率管理。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
FDS6670, IRF640N, FDP5500
