时间：2025/9/1 9:30:29
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IS61C25616AL-10TLI-TR是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。这款SRAM的容量为256K x 16位，采用高速CMOS技术制造，适用于需要高性能和低功耗的应用场景。该芯片的访问时间为10纳秒，封装形式为48引脚TSOP（薄型小外形封装），适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。IS61C25616AL-10TLI-TR因其高可靠性和高速特性，广泛应用于网络设备、工业控制、通信系统和嵌入式系统等领域。
容量：256K x 16位
访问时间：10ns
封装类型：48引脚TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
电源电压：3.3V
接口类型：并行
最大工作频率：100MHz
数据宽度：16位
封装尺寸：18.4mm x 12.0mm
IS61C25616AL-10TLI-TR采用了先进的CMOS工艺，确保了低功耗和高速性能。其访问时间为10ns，支持高达100MHz的工作频率，适用于需要快速数据存取的应用。该芯片支持异步操作，读写操作均可以高速进行。此外，它具有宽温度范围（-40°C至+85°C）特性，确保了在工业环境中的稳定运行。其TSOP封装形式不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，适用于空间受限的电路板设计。芯片内部集成了地址和数据缓冲器，确保了信号的稳定性，同时降低了对外部电路的要求。此外，IS61C25616AL-10TLI-TR在设计上兼容多种微处理器和控制器，方便用户进行系统集成。
在可靠性方面，该SRAM具有较强的抗干扰能力，并支持多种电源管理功能，如待机模式，以进一步降低功耗。这些特性使其在通信设备、工业自动化和嵌入式系统中表现出色。此外，该芯片具有较长的使用寿命和稳定的数据保持能力，即使在频繁读写操作下也能保证数据的完整性。
IS61C25616AL-10TLI-TR适用于多种高性能存储应用场合，例如：网络设备中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据存储、嵌入式系统的高速缓存、通信模块中的临时数据缓冲以及各种需要高速异步SRAM的电子设备。由于其高速存取能力和低功耗设计，该芯片也常用于图像处理、音频处理和数据采集系统中。此外，在航空航天和车载电子等高可靠性要求的应用中，该芯片也表现出了良好的适应性。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, AS7C325616A-10TCI
