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IS61C25616AL-10TLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:30:29 查看 阅读:5

IS61C25616AL-10TLI-TR是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造。这款SRAM的容量为256K x 16位,采用高速CMOS技术制造,适用于需要高性能和低功耗的应用场景。该芯片的访问时间为10纳秒,封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装),适用于工业温度范围(-40°C至+85°C)。IS61C25616AL-10TLI-TR因其高可靠性和高速特性,广泛应用于网络设备、工业控制、通信系统和嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 16位
  访问时间:10ns
  封装类型:48引脚TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:3.3V
  接口类型:并行
  最大工作频率:100MHz
  数据宽度:16位
  封装尺寸:18.4mm x 12.0mm

特性

IS61C25616AL-10TLI-TR采用了先进的CMOS工艺,确保了低功耗和高速性能。其访问时间为10ns,支持高达100MHz的工作频率,适用于需要快速数据存取的应用。该芯片支持异步操作,读写操作均可以高速进行。此外,它具有宽温度范围(-40°C至+85°C)特性,确保了在工业环境中的稳定运行。其TSOP封装形式不仅体积小巧,还具有良好的散热性能,适用于空间受限的电路板设计。芯片内部集成了地址和数据缓冲器,确保了信号的稳定性,同时降低了对外部电路的要求。此外,IS61C25616AL-10TLI-TR在设计上兼容多种微处理器和控制器,方便用户进行系统集成。
  在可靠性方面,该SRAM具有较强的抗干扰能力,并支持多种电源管理功能,如待机模式,以进一步降低功耗。这些特性使其在通信设备、工业自动化和嵌入式系统中表现出色。此外,该芯片具有较长的使用寿命和稳定的数据保持能力,即使在频繁读写操作下也能保证数据的完整性。

应用

IS61C25616AL-10TLI-TR适用于多种高性能存储应用场合,例如:网络设备中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据存储、嵌入式系统的高速缓存、通信模块中的临时数据缓冲以及各种需要高速异步SRAM的电子设备。由于其高速存取能力和低功耗设计,该芯片也常用于图像处理、音频处理和数据采集系统中。此外,在航空航天和车载电子等高可靠性要求的应用中,该芯片也表现出了良好的适应性。

替代型号

CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, AS7C325616A-10TCI

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IS61C25616AL-10TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max5.5 V
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 最大工作电流50 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Reel
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous