时间：2025/8/24 7:58:28
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FDS6961_NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低电压应用设计，适用于如负载开关、电源管理和电池供电设备等场景。FDS6961_NL 采用 8 引脚 TSSOP 封装，具有良好的热性能和小型化设计，适用于空间受限的 PCB 布局。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=4.5V，52mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-TSSOP
FDS6961_NL 具备低导通电阻特性，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体效率。该器件在栅极驱动电压较低时（如 2.5V）仍能保持较好的导通性能，因此非常适合用于低电压电源管理系统。其 30V 的漏源电压额定值使其能够在多种中低压应用场景中稳定运行。
此外，FDS6961_NL 具备快速开关特性，能够有效减少开关过程中的能量损耗，从而提升系统效率。其 8-TSSOP 封装不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，能够在较高电流下维持稳定工作温度。该器件还内置了静电放电（ESD）保护功能，增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。
FDS6961_NL 广泛应用于便携式电子产品、笔记本电脑、智能手机、电源管理模块、负载开关电路以及 DC-DC 转换器等。它也适用于电池管理系统、电机驱动电路以及需要高效、低功耗开关性能的场合。由于其封装小巧且具备良好的热性能，该器件特别适合用于空间受限且需要高效能的嵌入式系统。
FDMS6961S、FDS6961A、FDS6981、Si3440
