时间：2025/12/27 12:45:21
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B41858C5158M000 是由 TDK 公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于射频（RF）和微波电路中的高频率应用。该器件属于 TDK 的 IHP（Interposer High Performance）系列，专为需要低插入损耗、高 Q 值和优异温度稳定性的场合设计。其独特的 Interposer 结构有效降低了寄生电感，提升了高频性能，使其在 GHz 范围内仍能保持稳定的电容特性和较低的等效串联电阻（ESR）。
B41858C5158M000 的标称电容值为 15.8 pF，允许在 ±2% 的公差范围内波动，确保了电路调谐的精确性。该电容器采用精密陶瓷材料与先进的叠层工艺制造，具备出色的抗老化性能和长期可靠性。其小型化尺寸（通常为 0402 或类似封装）使其非常适合空间受限的高密度 PCB 设计，广泛应用于通信设备、雷达系统、测试仪器以及高端无线模块中。此外，该型号符合 RoHS 指令要求，适用于无铅回流焊工艺，能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
型号：B41858C5158M000
制造商：TDK
电容值：15.8 pF
容差：±2%
额定电压：50 V
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：C0G（NP0）
封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
介质材料：陶瓷
产品系列：IHP
直流偏压特性：无显著变化
Q值：≥1000（典型值，1 GHz）
自谐振频率（SRF）：>5 GHz
等效串联电阻（ESR）：<0.05 Ω
B41858C5158M000 采用 TDK 独有的 Interposer 高性能结构设计，这种结构通过优化内部电极布局显著降低了寄生电感，从而大幅提升器件在高频下的阻抗稳定性。传统 MLCC 在 GHz 频段常因寄生电感导致自谐振频率提前，影响滤波或匹配性能，而 B41858C5158M000 凭借其低 ESL（等效串联电感）设计，使自谐振频率推高至 5 GHz 以上，确保在高频应用中仍能维持接近理想电容器的行为。
该器件使用 C0G（也称 NP0）类温度补偿型陶瓷介质，具有极佳的温度稳定性，在整个 -55°C 到 +125°C 的工作温度范围内，电容值变化不超过 ±30 ppm/°C，几乎不受温度波动影响。这一特性使其成为射频滤波器、LC 谐振电路、压控振荡器（VCO）和阻抗匹配网络中的首选元件。同时，C0G 材料还具备零老化率、低介电损耗和优异的电压线性度，避免了因电压变化引起的电容漂移问题。
其高 Q 值（品质因数）是另一个关键优势，典型值在 1 GHz 下可达 1000 以上，意味着能量损耗极小，适用于对信号完整性要求极高的场景，如低噪声放大器输入端耦合、高频振荡回路等。此外，该电容器具备良好的机械强度和热循环耐受能力，能够承受多次回流焊接而不产生裂纹或性能退化。由于其无磁性材料构造，也不会引入额外的电磁干扰，适合用于高灵敏度接收前端电路。整体而言，B41858C5158M000 是一款面向高端射频应用的精密被动元件，兼顾小型化、高性能与长期稳定性。
B41858C5158M000 主要应用于高频和超高频电子系统中，尤其适用于对电容稳定性、低损耗和高频响应有严格要求的场景。常见用途包括射频识别（RFID）系统的天线匹配网络，其中需要精确的电容值来实现最大功率传输和最小反射。在无线通信基础设施中，如基站、毫米波收发模块和 5G 前端模块，该电容器被广泛用于带通滤波器、低通滤波器和谐振电路的设计，以确保信号通带内的平坦响应和陡峭的截止特性。
在测试与测量设备领域，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和高频信号发生器中，B41858C5158M000 因其高 Q 值和稳定的频率响应，常用于校准电路和参考振荡器部分，提升仪器的测量精度。此外，在航空航天与国防系统中，如相控阵雷达、卫星通信终端和电子战设备，该器件凭借其宽温工作能力和高可靠性，承担着关键的射频信号调理任务。
消费类高端电子产品中，如高性能 Wi-Fi 6E 和 Wi-Fi 7 路由器、UWB（超宽带）定位模块以及智能手机的毫米波天线调谐电路，也开始采用此类高性能 MLCC 以满足日益增长的带宽需求。其小型化封装也使得它能够在紧凑的 PCB 布局中实现高效的高频去耦和阻抗匹配，减少电路板面积占用的同时提升整体系统性能。
GRM1555C1H158JA01D
CC0402JRX7R9BB158
C1005C0G1H158J
