您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDS6912A

FDS6912A 发布时间 时间:2024/6/28 11:06:14 查看 阅读:118

FDS6912A是一种P-通道功率MOSFET,具有低电阻、高速开关和高电流能力的特点,适用于各种功率应用。
  FDS6912A的操作理论是基于MOSFET的工作原理。MOSFET是一种三极管,由源极、漏极和栅极组成。当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET导通,电流可以从源极流向漏极;当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET截止,电流无法流过。通过控制栅极电压,可以控制MOSFET的导通和截止,从而实现电流控制和功率管理。

基本结构

FDS6912A的基本结构包括P型衬底、N型漏极区域、N型源极区域和金属栅极。P型衬底作为基底,用于支撑整个结构。N型漏极和源极区域分别与漏极和源极金属接触,形成电流通路。栅极由金属材料制成,与绝缘层隔离,用于控制MOSFET的导通和截止。

参数

1、额定电流:9.8A
  2、额定电压:-30V
  3、导通电阻:13mΩ
  4、输入电容:1720pF
  5、开关时间:12ns

特点

1、低导通电阻:FDS6912A具有低导通电阻,可以减少功率损耗和热量。
  2、高速开关:FDS6912A具有快速的开关速度,可以实现高效能的工作。
  3、高电流能力:FDS6912A可以承受高电流,适用于高功率应用。
  4、优良的温度特性:FDS6912A具有优良的温度特性,可以在各种环境条件下工作稳定。

工作原理

FDS6912A是一种P-通道功率MOSFET,工作原理是通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流通路。当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET导通,电流可以从源极流向漏极;当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET截止,电流无法流过。

应用

FDS6912A适用于各种功率应用,包括但不限于:
  1、电源管理:FDS6912A可以用于电源开关、逆变器和稳压器等电源管理电路中。
  2、电动工具:FDS6912A可以用于电动工具的电压和电流控制。
  3、车载电子:FDS6912A可以用于车载电子设备中的电流控制和功率管理。
  4、LED照明:FDS6912A可以用于LED照明系统中的电流控制和功率管理。

如何使用

使用FDS6912A时,需要注意以下几点:
  1、连接:正确连接源极、漏极和栅极,确保接线正确。
  2、栅极电压:根据应用需求,控制栅极电压来控制MOSFET的导通和截止。
  3、电流控制:根据应用需求,通过控制输入电压或电流来控制MOSFET的电流。

安装要点

FDS6912A的安装要点如下:
  1、确保器件与散热器的良好接触:FDS6912A在工作过程中会产生热量,需要通过散热器将热量散发出去。安装时应确保器件与散热器的良好接触,使用适当的散热胶或导热垫。
  2、控制栅极电压:栅极电压是控制FDS6912A导通和截止的关键参数。在安装过程中,应确保栅极与控制电路的连接正确,并控制栅极电压在合适的范围内(根据设计要求)。
  3、注意静电防护:静电会对FDS6912A造成损害。在安装过程中,应注意静电防护,使用防静电手套和防静电垫。
  4、避免过热和过载:FDS6912A的功率能力有限,应根据设计要求合理使用,避免过热和过载。在安装过程中,应根据设计要求提供合适的散热和保护措施。
  5、连接正确的引脚:FDS6912A的引脚功能不同,安装时应确保正确连接。参考器件的数据表和引脚图,确保引脚连接正确。
  6、考虑电源和地线的布局:电源和地线的布局对FDS6912A的性能和稳定性有影响。在安装过程中,应合理布局电源和地线,减少干扰和损耗。
  7、选择合适的封装类型:FDS6912A有多种封装类型可选,如TO-252、SO-8等。在安装过程中,应根据设计要求选择合适的封装类型,确保尺寸和散热要求的匹配。

FDS6912A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDS6912A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • FDS6912A
  • Dual N-Channel, Logic Level, PowerTr...
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 阅览

FDS6912A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds575pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS6912ATR