HM50P06 时间：2025/6/24 15:51:17 阅读：7

HM50P06是一种高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的场景中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和稳定性。
　　HM50P06适用于中小功率应用场合，其封装形式紧凑，便于设计到各种空间受限的电子设备中。通过优化的芯片结构设计，该器件在导通损耗和开关损耗之间取得了良好的平衡，适合多种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
　　总功耗(Ptot)：180W
　　结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220

特性

HM50P06具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持高达50A的持续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，降低开关损耗，特别适合高频开关应用。
　　4. 较宽的工作温度范围(-55°C至+175°C)，适应恶劣环境下的运行需求。
　　5. 良好的热稳定性，保证长期可靠工作。
　　6. 紧凑的TO-220封装，易于安装且散热性能优异。
　　7. 符合RoHS标准，环保无害。

应用

HM50P06适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
　　2. 直流/直流转换器(DC-DC Converter)的核心功率器件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 各种负载开关应用，例如电池保护和电源管理。
　　5. LED驱动电路中的电流控制元件。
　　6. 其他需要高效功率控制的工业和消费类电子产品中。