时间：2025/4/29 9:55:27
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NGTD20T120F2SWK 是一款由 Nexperia（原飞利浦半导体分立器件部门）生产的高压 MOSFET。该型号属于 TrenchFET Gen IV 系列，采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高效率、高密度的功率转换应用。此器件通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理和负载切换等场景。
类型：N-channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：74nC (典型值)
总电容(Ciss)：2580pF (典型值)
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-Lead (PowerSON 8x8mm)
NGTD20T120F2SWK 提供了超低的导通电阻，能够在高频开关条件下保持高效运行。
其沟槽式结构显著降低了器件的热阻和开关损耗，从而提高了系统的整体效率。
同时，该器件具有较高的雪崩能力和稳健的短路耐受能力，确保在极端条件下的可靠性。
此外，由于其紧凑的 PowerSON 封装设计，这款 MOSFET 非常适合空间受限的应用环境，如便携式设备或高密度电路板。
NGTD20T120F2SWK 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
2. DC-DC 转换器的高端和低端开关。
3. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的功率级元件。
NGTB20N120L2W, IRFZ44N, FDP18N12A
