FDS6614-NL 时间：2025/5/27 18:41:17 阅读：16

FDS6614-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Fairchild（现为 ON Semiconductor）公司的制造工艺。该器件专为高频开关应用而设计，适用于各种电源管理场景，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效率应用中表现出色。
　　该芯片采用了 PowerTrench 工艺技术，以实现更小的封装尺寸和更高的性能。同时，它具有出色的热稳定性和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：2.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ
　　栅极电荷：13nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

FDS6614-NL 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on)) 和低栅极电荷 (Qg)，这使得它非常适合高频开关应用。此外，其小型 SOT-23 封装能够节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
　　这款 MOSFET 还具备较高的雪崩耐量能力，增强了器件的鲁棒性，能够在过载条件下提供额外的保护。
　　由于采用了先进的 PowerTrench 技术，FDS6614-NL 可以在紧凑的设计中提供卓越的电气性能，同时减少功耗并提高系统的整体效率。

应用

FDS6614-NL 广泛应用于消费类电子产品、计算机外设以及工业设备中。典型的应用领域包括：
　　1. 手机充电器和适配器中的同步整流
　　2. 便携式设备的负载开关
　　3. DC-DC 转换器的功率级开关
　　4. 电池供电设备中的电源管理
　　5. 小型电机驱动和控制
　　其高效的开关特性和紧凑的封装形式，使它成为许多空间受限应用的理想选择。