KTC2825D-RTF 时间：2025/9/11 12:58:52 阅读：8

KTC2825D-RTF 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.7A（在 Vgs=4.5V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23-6

特性

KTC2825D-RTF 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力以及快速开关性能。其低 Rds(on) 特性可显著减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽结构，优化了导电性能并提高了热稳定性。其 SOT-23-6 小型封装形式使其适用于空间受限的设计，同时具备良好的热管理能力。此外，该 MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷，有助于实现快速的开关动作，减少开关损耗。
　　该器件还具备良好的热阻性能和较高的可靠性，适合在恶劣环境下运行。其设计支持多种电源管理应用，包括便携式电子设备、同步整流器、负载开关以及电源管理系统。KTC2825D-RTF 在低电压应用中表现出色，尤其是在 4.5V 栅极驱动电压下依然能保持优异的性能。

应用

KTC2825D-RTF 主要应用于低电压功率管理系统，如便携式电子产品（智能手机、平板电脑等）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及各种需要高效率、低导通损耗的电路设计中。其小型封装和高性能特性也使其适用于自动化控制系统、工业设备以及消费类电子产品。