时间：2025/9/30 13:05:48
阅读：8
AM29LV160BB90EC是AMD（现为Spansion，后并入Cypress Semiconductor，现属Infineon Technologies）推出的一款低电压、高性能的16兆位（16 Mbit）CMOS闪存芯片，采用扇区式Flash架构。该器件属于Am29LV系列，具备非易失性存储特性，适用于需要可靠、可重复编程存储解决方案的嵌入式系统和便携式设备。其容量为16 Mbit（即2 MB），组织结构为2,097,152字节，按字或字节模式访问，内部划分为多个可独立擦除的扇区，提供了灵活的数据管理能力。该芯片支持在线电擦除和重复编程功能，无需外部紫外线照射，极大提升了系统设计的便利性和维护效率。AM29LV160BB90EC采用TSOP封装形式，便于在空间受限的应用中使用，并具有较高的抗干扰能力和环境适应性。该器件广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域，作为程序存储或固件存储介质。其工作电压范围较宽，典型值为2.7V至3.6V，适合电池供电系统，同时具备低功耗待机模式，有助于延长设备续航时间。
型号：AM29LV160BB90EC
制造商：AMD / Spansion / Cypress / Infineon
存储类型：NOR Flash
存储容量：16 Mbit (2 MB)
组织方式：1M x 16位
工作电压：2.7 V 至 3.6 V
访问时间：90 ns
封装类型：48-pin TSOP Type I
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
写入/擦除耐久性：100,000次
数据保持时间：20年（典型值）
编程电压：内部电荷泵生成
接口类型：并行（x16）
擦除扇区大小：4 KB、32 KB、64 KB（多扇区结构）
状态寄存器轮询支持：支持
软件数据保护：支持
硬件写保护：支持（通过Vpp引脚或特定时序）
AM29LV160BB90EC具备多项先进特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，其扇区架构设计允许对存储器进行细粒度管理，包含多个4KB的小扇区和较大的32KB及64KB扇区，这种混合扇区结构既支持小量数据更新，又适用于大块代码的快速擦除，提升了系统灵活性和效率。其次，该芯片内置升压电路，可在较低的单电源电压下完成编程和擦除操作，无需额外的高压编程电源，简化了电源设计。此外，它支持软件写保护机制，可通过特定命令序列锁定特定扇区，防止误擦写，增强数据安全性。硬件写保护功能也通过Vpp引脚或CE#信号实现，进一步提升可靠性。
该器件支持标准的命令集，兼容JEDEC标准，可通过简单的微处理器接口进行控制，命令通过地址总线输入，执行结果可通过状态寄存器查询或DQ位监测判断，便于系统集成与调试。其90ns的访问时间确保了较快的读取速度，适用于实时性要求较高的应用。低功耗特性体现在多种工作模式中：正常读取电流、待机电流极低（典型值仅几微安），非常适合电池供电设备。此外，AM29LV160BB90EC具备出色的抗辐射和抗噪声能力，在工业级温度范围内稳定运行，确保在恶劣环境下长期可靠工作。所有扇区均支持10万次以上的擦写循环，数据保存时间长达20年以上，满足大多数工业和消费类产品的寿命需求。
AM29LV160BB90EC广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业通信模块等设备中存储固件和配置参数。在通信设备中，如路由器、交换机、基站模块等，用作Boot ROM或配置存储器，支持远程升级和故障恢复。消费类电子产品如机顶盒、数字电视、打印机、数码相机等也采用该芯片存储启动代码和操作系统。由于其宽温特性和高可靠性，该器件同样适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块、仪表盘显示单元等，能够在振动、高温和电压波动的环境中稳定运行。此外，在医疗设备、测试仪器和安防监控系统中，AM29LV160BB90EC也扮演着关键的存储角色，确保存储数据的安全性和持久性。其并行接口设计适合与传统MCU或MPU直接连接，无需复杂的协议转换，降低了系统复杂度和开发成本。
S29GL016D90TFI010
MT28GU01GAABDAFC-IT
SST39VF1601C-90-4C-F
