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FDS6575 发布时间 时间:2025/7/9 22:06:41 查看 阅读:4

FDS6575是一款N沟道增强型MOSFET,采用小型表面贴装封装(SOT-23),广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他低电压应用中。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称,非常适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
  这款MOSFET由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产,具有出色的电气性能和可靠性,是便携式电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:400mW
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

FDS6575具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提升效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用环境。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 高可靠性和稳定性,能够适应恶劣的工作条件。
  5. 支持广泛的输入电压范围,适合多种电源管理需求。
  6. 低栅极电荷设计,减少驱动损耗。
  7. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

FDS6575的主要应用领域包括:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. 电池供电设备中的电源管理。
  5. 电机驱动和信号切换。
  6. 各类消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑配件。
  7. 工业控制和通信设备中的低功率开关应用。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDP5570
  Si2309DS

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FDS6575参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 10A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs74nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4951pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS6575-NDFDS6575TR