类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.5A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V VGS，最大值为23mΩ；@2.5V VGS，最大值为30mΩ
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：8-SOIC

FDS5680NL具备多项优异特性，适用于多种高性能功率应用。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。在4.5V栅极驱动电压下，Rds(on)最大仅为23mΩ，而在较低的2.5V驱动电压下也能保持在30mΩ以内，这使得它适用于低电压控制电路，如由微控制器直接驱动的应用。
　　其次，FDS5680NL的最大漏极电流为6.5A，漏源电压额定为30V，适用于多种中功率DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器设计。此外，其栅极电压容限为±20V，增强了器件在复杂工作环境中的可靠性。
　　该器件采用8引脚SOIC封装，具有良好的散热性能，能够在较高的功率密度下稳定运行。封装尺寸紧凑，便于在空间受限的PCB设计中使用。
　　另外，FDS5680NL具备快速开关能力，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。其内部结构优化设计减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　综合来看，FDS5680NL是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适合多种工业控制、便携设备电源管理和嵌入式系统的功率控制应用。

FDS5680NL广泛应用于需要高效、低功耗功率控制的电路中。常见应用包括同步整流DC-DC降压或升压转换器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备电源控制、马达驱动电路、LED背光或照明驱动器、工业自动化控制电路以及各种需要中等功率开关的场合。其低导通电阻和高频响应特性使其成为高效能电源转换设计的理想选择。

Si4410BDY, FDS6680, NTD4858N, IRF7413, AO4406