时间：2025/8/6 4:57:43
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MPSC2N75U120 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的高功率碳化硅（SiC）MOSFET 晶体管，适用于高电压和高频率应用。该器件基于先进的碳化硅技术，具备优异的导通和开关性能，适用于电力电子系统如逆变器、转换器和电机驱动器。
类型：碳化硅 MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：1200V
最大连续漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ
栅极-源极电压范围（VGS）：-5V 至 +20V
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
技术：SiC（碳化硅）
MPSC2N75U120 采用了碳化硅材料，具备显著优于传统硅基 MOSFET 的性能优势。其高击穿电压特性使其适用于 1200V 级别的高电压应用，同时具备更低的导通损耗和开关损耗。碳化硅材料的宽禁带特性也使该器件能够在更高的工作温度下保持稳定运行，从而减少了散热设计的复杂度。此外，该 MOSFET 的导通电阻仅为 27mΩ，在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其封装采用 TO-247 标准功率封装，便于散热和安装。
这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 -5V 至 +20V，具有良好的栅极稳定性，适用于多种栅极驱动电路。其最大连续漏极电流可达 75A，适用于大功率应用。此外，MPSC2N75U120 具备较高的短路耐受能力，提高了器件在异常工况下的可靠性。
MPSC2N75U120 常用于高功率、高频率的电力电子系统中，如工业电机驱动器、太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）以及高功率 DC-DC 转换器。由于其具备高效率、高耐压和低导通损耗的特性，该器件在需要高功率密度和高可靠性的应用中表现出色。
Cree / Wolfspeed 的 C3M0065090J、Infineon 的 IMW120R030M1H、STMicroelectronics 的 SCT3045KL
