类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：40A
　　最大漏源电压（Vds）：120V
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

SH4018120YLB 具备一系列优异的电气和热性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）仅为 18mΩ，这显著降低了在高电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，低 Rds(on) 还有助于减少发热，从而提高系统的可靠性和稳定性。
　　其次，该器件的最大漏极电流可达 40A，支持在高负载条件下稳定运行。漏源电压额定值为 120V，使其适用于中高压电源应用，如电源适配器、电池充电器和 DC-DC 转换器。
　　SH4018120YLB 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中有效管理热量。其封装结构也便于安装在散热片上，以进一步提升热传导效率。
　　此外，该 MOSFET 的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，兼容多种常见的驱动电路设计，包括基于微控制器或专用驱动 IC 的控制方案。这种宽泛的栅极电压适应性提高了其在不同应用环境中的灵活性。
　　最后，SH4018120YLB 在高温环境下仍能保持稳定工作，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

SH4018120YLB 被广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：
　　? DC-DC 转换器：用于电信设备、服务器电源和嵌入式系统中的电压调节模块。
　　? 电机控制：适用于电动工具、工业自动化设备和家用电器中的马达驱动电路。
　　? 负载开关：用于智能电源管理系统、电池供电设备和多路电源分配器中，实现对负载的快速开关控制。
　　? 电源适配器和充电器：在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路中，作为主开关或同步整流器件使用。
　　? 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块和电动车辆的能量管理系统。

IRF1404, Si4410DY, IPB04N0410AG