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FDS4070N7 发布时间 时间:2024/9/12 9:28:51 查看 阅读:151

技术参数

额定电压(DC):40.0 V
  额定电流:15.3 A
  漏源极电阻:7.00 mΩ
  极性:N-Channel
  耗散功率:3 W
  漏源极电压(Vds):40 V
  漏源击穿电压:40.0 V
  栅源击穿电压:±20.0 V
  连续漏极电流(Ids):15.3 A
  上升时间:12 ns
  输入电容(Ciss):2819pF 20V(Vds)
  额定功率(Max):3 W
  下降时间:29 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):3W(Ta)
  安装方式:Surface Mount
  引脚数:8
  封装:SOIC-8

外形尺寸

长度:4.9 mm
  宽度:3.9 mm
  高度:1.75 mm

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

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FDS4070N7参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 15.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2819pF @ 20V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS4070N7TRFDS4070N7_NLFDS4070N7_NLTRFDS4070N7_NLTR-ND