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CXK581000P-12L 发布时间 时间:2025/8/18 12:11:08 查看 阅读:21

CXK581000P-12L 是一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由国产厂商生产。该芯片通常用于需要高速数据访问和低延迟的应用场合。其主要特点包括低功耗设计、高速读写能力以及较高的稳定性,适用于工业控制、通信设备、消费电子产品等多种领域。CXK581000P-12L 的封装形式为28引脚的PLCC或DIP封装,便于在各种电路板上进行安装和使用。

参数

存储容量:128Kbit
  组织结构:16K x 8
  工作电压:5V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  封装类型:PLCC-28 或 DIP-28
  引脚数:28
  读取电流:最大100mA
  待机电流:最大10mA

特性

CXK581000P-12L 是一款高性能的SRAM芯片,具备快速的数据读写能力,访问时间仅为12ns,适合需要高速处理的应用。其采用的CMOS技术确保了低功耗运行,在待机模式下电流消耗极低,有助于减少整体系统功耗。
  该芯片的稳定性较高,能够在工业级温度范围内正常工作,适应各种复杂环境。此外,CXK581000P-12L 提供了多种封装形式,如PLCC和DIP,便于用户根据具体需求选择合适的封装类型,以满足不同PCB设计的需求。
  在数据保持方面,CXK581000P-12L 具有良好的数据保持能力,即使在断电情况下也能在短时间内维持数据完整性,适合用于需要频繁读写的数据缓存应用。
  该芯片的输入输出接口兼容TTL电平,能够方便地与其他数字电路连接,增强了系统的兼容性和扩展性。

应用

CXK581000P-12L 通常应用于需要高速缓存和临时数据存储的场合,如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、打印机缓存、网络设备等。其高速读写能力和低功耗特性也使其适用于手持设备、智能仪表和数据采集系统。

替代型号

CY7C1009B-12VC、IS61C1008-12A、HM628128A-12

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