FDS3572-NL 时间：2025/12/23 13:03:50 阅读：15

FDS3572-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率控制的领域。
　　FDS3572-NL采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能等特点，使其在高性能功率转换应用中表现出色。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：16A
　　导通电阻：1.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：38nC（典型值）
　　总功耗：21W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

FDS3572-NL具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　4. 小型封装（如TO-220或DPAK），便于PCB布局和散热设计。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 优异的热稳定性，能够在宽温度范围内稳定工作。

应用

FDS3572-NL适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的功率路径控制。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合于需要高效功率转换和高可靠性的场景。