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FDR858P 发布时间 时间:2025/4/30 16:39:23 查看 阅读:3

FDR858P 是一种NPN型的双极性晶体管,广泛应用于模拟和数字电路中的开关和放大功能。该器件具有高增益、低噪声以及良好的频率响应特性,适合在中等功率的应用场合下使用。
  这种晶体管通常被用来构建各种电子电路模块,例如音频放大器、信号调节器以及其他需要电流放大的应用领域。其封装形式多为TO-92,这种小型化的封装有助于提高电路板的空间利用率,并且便于手工焊接和自动化生产。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极最大电流(Ic):800mA
  直流电流增益(hFE):100~650
  总功耗(Ptot):625mW
  过渡频率(fT):150MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

FDR858P 晶体管具备以下显著特点:
  1. 高增益:直流电流增益(hFE)范围宽广,在100到650之间,能够满足大多数应用需求。
  2. 低噪声性能:适用于对信号质量要求较高的场景,如音频处理和无线通信设备。
  3. 频率响应优秀:高达150MHz的过渡频率使其非常适合高频电路设计。
  4. 小型化封装:采用标准TO-92封装,体积小巧,易于安装和维护。
  5. 耐热性强:无论是存储还是工作环境,其温度范围均可达到-55℃至150℃,适应恶劣的工作条件。

应用

FDR858P 可以应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 音频放大器:用于提升音频信号的强度,确保输出音质清晰。
  2. 开关电路:作为电子开关控制元件,实现负载的通断操作。
  3. 信号调节:在传感器接口电路中,用于调整输入信号幅度。
  4. 电源管理:在某些降压或升压电路中充当关键的驱动元件。
  5. 数字电路中的逻辑门:可以构建简单的与非门或其他组合逻辑电路。

替代型号

BC337, 2N2222, KSP2222A

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FDR858P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2010pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SSOT,SuperSOT-8
  • 供应商设备封装8-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDR858P-NDFDR858PTR