您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDR838P_NL

FDR838P_NL 发布时间 时间:2025/12/29 15:17:49 查看 阅读:8

FDR838P_NL 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的双极性功率晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高功率放大和开关应用,具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。FDR838P_NL 采用 TO-220 封装形式,适用于各种电源管理和功率转换系统。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压,能够在较高电压条件下可靠工作,同时具备较低的饱和压降,从而提高整体效率。

参数

类型:NPN 型双极性晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):连续:8A
  功耗(Pd):75W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  增益(hFE):典型值 10000 @ Ic=2A, Vce=5V
  饱和压降(Vce_sat):最大 1.2V @ Ic=8A, Ib=0.4A

特性

FDR838P_NL 具备多项适用于高功率应用场景的特性。其高电流容量(可达8A)使其适用于高功率放大器和开关电源电路。该器件的高耐压能力(80V Vce)意味着它可以在较高电压条件下稳定运行,适用于多种工业控制和电机驱动应用。
  该晶体管采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,有助于在高功率工作时保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和寿命。此外,该封装形式也便于安装在散热片上,进一步增强热管理能力。
  FDR838P_NL 的 hFE 值较高,通常在典型工作条件下可达到 10000,这意味着它可以在低基极电流下控制较大的集电极电流,提高驱动效率。这对于需要高效能功率开关的应用尤其重要。
  此外,该晶体管具有较低的饱和压降(Vce_sat),在高电流工作状态下,压降不会显著影响整体效率,减少了功率损耗和热量产生,从而提升系统整体性能。

应用

FDR838P_NL 主要应用于需要高电流和高电压处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、直流电机驱动、逆变器、电池充电器以及工业自动化控制系统中的功率放大电路。
  在开关电源中,FDR838P_NL 可用于高频开关拓扑结构,如 Boost 和 Buck 转换器,实现高效的能量转换。由于其高耐压和大电流能力,它特别适合用于中高功率的 DC-DC 转换器或 AC-DC 整流后级稳压电路。
  在电机控制和驱动应用中,该晶体管可用于 H 桥电路中,作为高边或低边开关,控制直流电机的方向和速度。其高电流承载能力和快速开关特性,使其在 PWM 控制下能够实现精确的转速调节。
  此外,FDR838P_NL 还可用于音频放大器中的输出级,特别是在高功率音频系统中,作为推挽式放大器的一部分,提供强劲的输出能力和良好的失真控制。

替代型号

FJD4800A-TL0, MJF14030, TIP142

FDR838P_NL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价