BUK581-60A 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。该器件采用TO-263封装形式,能够有效降低功耗并提高系统效率。
BUK581-60A的耐压为60V,能够承受较大的电流负载,并且其优化的电气特性使其非常适合于需要高效能和高可靠性的设计场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:39A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:43nC
总电容:2450pF
工作结温范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-263
BUK581-60A 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提高整体效率。
2. 高额定电流能力,允许其在大功率应用场景中稳定运行。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并支持高频操作。
4. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
5. 紧凑的TO-263封装,便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子制造需求。
这些特性使得该器件成为工业、消费类以及汽车电子领域中高性能功率控制的理想选择。
BUK581-60A广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. 直流-直流转换器(DC-DC converters)中的同步整流或主开关。
3. 电动工具、家用电器等设备中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
由于其出色的电气特性和耐用性,该器件可以满足各种复杂功率管理系统的要求。
IRLB8748PBF, FDP55N06L, AO3400A