时间：2025/4/30 14:05:30
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LR645N8-G 是一款高性能的 N 沩道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备优良的电气特性和稳定性，适合工业、消费电子以及汽车电子领域中的多种应用。
LR645N8-G 的封装形式通常为 TO-220 或 PDFN 封装，这种封装设计有助于提高散热性能，并且便于安装在各种电路板上。该型号的主要特点是其较低的导通电阻和较高的电流承载能力，使其成为功率转换、电机驱动和其他功率管理应用的理想选择。
最大漏源电压：45V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：11A
导通电阻：5.3mΩ
总功耗：110W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-220
LR645N8-G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（5.3mΩ 典型值），能够有效减少功率损耗。
2. 高击穿电压（45V），保证了器件在高压环境下的可靠运行。
3. 快速开关速度，使得该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色。
4. 较高的雪崩耐量能力，增强了器件在异常情况下的保护性能。
5. 良好的热稳定性，支持长时间高温工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，适合现代绿色电子产品需求。
LR645N8-G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动器中的逆变器或斩波器电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 汽车电子系统中的电池管理系统（BMS）和 DC-DC 转换器。
5. LED 照明驱动电路中的电流调节元件。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF540N, STP11NM50K, FDP15N45A
