FDPF5N50是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的N沟道功率MOSFET,常用于高电压、高电流的开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理及功率控制场景。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id)@25℃:5A
导通电阻(Rds(on)):最大值3.5Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-220
FDPF5N50的主要特点包括其低导通电阻,能够显著减少在高电流条件下的功率损耗,提高整体系统效率。
此外,该器件采用先进的平面技术,提供出色的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。
FDPF5N50还具备快速的开关速度,使其能够在高频操作中表现出色,降低开关损耗。
其高耐压能力(500V)确保它能在高压应用中安全可靠地工作,如电源适配器、电机驱动和照明镇流器等。
同时,FDPF5N50拥有良好的雪崩能量承受能力,增强了设备在突发过载条件下的耐用性。
最后,它的封装设计(TO-220)便于散热,并且易于安装到标准的PCB上。
FDPF5N50广泛应用于多个领域,包括电源供应器中的开关电路、LED照明系统的调光与调色控制、马达控制以及工业自动化设备中的功率管理模块。
在消费类电子产品中,该MOSFET可用于高效能适配器、充电器和UPS(不间断电源)系统。
此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电系统中,FDPF5N50也扮演着关键角色,提供稳定可靠的功率转换解决方案。
由于其出色的电气性能和热稳定性,该器件也常被用作继电器替代品,实现无接触开关功能,提高系统的响应速度和使用寿命。
IRF840, FQP5N50C