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FDPF5N50 发布时间 时间:2025/7/14 16:16:21 查看 阅读:8

FDPF5N50是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的N沟道功率MOSFET,常用于高电压、高电流的开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理及功率控制场景。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id)@25℃:5A
  导通电阻(Rds(on)):最大值3.5Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-220

特性

FDPF5N50的主要特点包括其低导通电阻,能够显著减少在高电流条件下的功率损耗,提高整体系统效率。
  此外,该器件采用先进的平面技术,提供出色的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。
  FDPF5N50还具备快速的开关速度,使其能够在高频操作中表现出色,降低开关损耗。
  其高耐压能力(500V)确保它能在高压应用中安全可靠地工作,如电源适配器、电机驱动和照明镇流器等。
  同时,FDPF5N50拥有良好的雪崩能量承受能力,增强了设备在突发过载条件下的耐用性。
  最后,它的封装设计(TO-220)便于散热,并且易于安装到标准的PCB上。

应用

FDPF5N50广泛应用于多个领域,包括电源供应器中的开关电路、LED照明系统的调光与调色控制、马达控制以及工业自动化设备中的功率管理模块。
  在消费类电子产品中,该MOSFET可用于高效能适配器、充电器和UPS(不间断电源)系统。
  此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电系统中,FDPF5N50也扮演着关键角色,提供稳定可靠的功率转换解决方案。
  由于其出色的电气性能和热稳定性,该器件也常被用作继电器替代品,实现无接触开关功能,提高系统的响应速度和使用寿命。

替代型号

IRF840, FQP5N50C

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