FDP7N60NZ 时间：2025/6/24 0:16:29 阅读：4

FDP7N60NZ 是一款 N 沪道的功率场效应晶体管（MOSFET），属于增强型垂直 DMOS 器件。该型号设计用于高频开关应用和电源管理场景，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为 TO-220FP，适用于需要高效率和可靠性的工业和消费类电子设备。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 600V，能够承受较高的反向电压，适合高压环境下的应用。同时，其出色的动态性能使其成为硬开关和软开关电路的理想选择。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：7A
　　栅极阈值电压：4V
　　导通电阻：1.4Ω
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

FDP7N60NZ 提供了卓越的电气性能，具体表现为以下几点：
　　1. 高击穿电压：600V 的漏源电压允许该器件在高压环境下稳定运行，减少了击穿风险。
　　2. 低导通电阻：仅为 1.4Ω，在高电流条件下降低了传导损耗。
　　3. 快速开关能力：具备短的开关时间和较低的输入/输出电容，适合高频应用。
　　4. 热稳定性强：能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，确保极端条件下的可靠性。
　　5. 封装坚固：采用 TO-220FP 封装，易于安装并提供良好的散热性能。
　　此外，该器件还具有低反向恢复电荷和栅极电荷，进一步提升了效率和动态表现。

应用

FDP7N60NZ 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器，提高电源转换效率。
　　2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电机运行。
　　3. 逆变器：用于太阳能逆变器和其他类型的能量转换系统。
　　4. 工业控制：如 PLC 和伺服驱动中的功率级元件。
　　5. LED 驱动：提供高效稳定的电流以驱动大功率 LED 灯具。
　　其高电压能力和低导通损耗使它非常适合需要高压和高效率的应用场合。