FDP6N40CF 时间：2025/8/24 13:28:13 阅读：11

FDP6N40CF 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等高功率场合。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，适合用于中高功率开关应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：400V
　　最大漏极电流 Id：6A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 1.65Ω（@Vgs=10V）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2V ~ 4V
　　最大耗散功率 Pd：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FDP6N40CF MOSFET 具备多项优良特性，使其在多种功率应用中表现优异。首先，其漏源电压高达 400V，能够承受较高的电压应力，适用于 AC-DC 转换器和高电压开关应用。其次，漏极电流额定为 6A，在 TO-220 封装中具备较高的电流承载能力，满足中功率开关需求。
　　该器件的导通电阻 Rds(on) 典型值为 1.65Ω，在 Vgs=10V 的条件下可实现较低的导通损耗，有助于提高系统效率。此外，FDP6N40CF 具有良好的热稳定性，最大耗散功率为 50W，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　其栅极阈值电压范围为 2V ~ 4V，适用于常见的驱动电路设计，兼容多种 PWM 控制器和微处理器输出。FDP6N40CF 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　在封装方面，TO-220 是一种常见的功率封装形式，便于散热和安装，适用于通孔焊接和散热片安装，适合于中高功率电源设计。整体而言，FDP6N40CF 是一款性能稳定、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种电源和功率控制应用。

应用

FDP6N40CF MOSFET 常用于各类电源系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和继电器替代电路。它也适用于照明系统、充电器、UPS（不间断电源）以及工业控制设备中的功率开关环节。由于其高耐压和中等电流能力，特别适合用于中功率开关应用，例如电池管理系统、逆变器和电源管理模块。此外，该器件也可用于消费类电子产品和工业自动化设备中的功率控制部分。