FDP6N40C 时间：2025/8/24 18:15:10 阅读：6

FDP6N40C 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电源开关、电机控制以及照明系统等高功率应用领域。FDP6N40C 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够承受较高的工作电流和温度。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：400V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：6A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 1.6Ω，最大值 2.2Ω
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FDP6N40C 是一款性能稳定的功率 MOSFET，具备多项优良特性。
　　首先，其漏源电压高达 400V，能够满足多种高压应用需求，如开关电源、LED 驱动和电机控制等。其 6A 的连续漏极电流能力也使其适用于中高功率场合。
　　其次，FDP6N40C 具有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 1.6Ω，最大值为 2.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少发热，从而延长设备使用寿命。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±30V 的栅源电压，提高了驱动灵活性和稳定性，便于与多种驱动电路配合使用。
　　该器件采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，从而保证器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　最后，FDP6N40C 具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在突发负载或过载情况下保持可靠性，适合工业和消费类电子产品的应用需求。

应用

FDP6N40C 广泛应用于多种功率电子设备中。
　　在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器中，作为主开关器件，实现高效的能量转换。其高压和高电流特性使其在 LED 照明驱动器中也有广泛应用，特别是在高压恒流 LED 驱动电路中。
　　在电机控制领域，FDP6N40C 可用于直流电机和步进电机的驱动电路，作为功率开关实现启停控制和调速功能。
　　此外，该器件还适用于电池充电器、电源适配器、电源插座、工业自动化设备和电源保护电路等应用场景。